CVD·PECVD 蒸着装置(化学気相成長装置)

製品概要

 CVD/PECVD装置は、プラズマ化学気相成長技術(PECVD)をベースとした薄膜堆積装置です。金属、半導体、絶縁体など様々な材料の薄膜形成が可能であり、マイクロエレクトロニクス、フォトニクス、フラットパネルディスプレイ(FPD)、エネルギー貯蔵などの分野で幅広く活用されています。

製品の特徴

 最高温度: 1200℃(HRE抵抗線加熱)

 インテリジェント制御: 50ステップのプログラム自動制御システム。

 筐体構造: 二重構造の空冷システムにより、外郭表面温度を50℃以下に保持。

 高品質な断熱材: 日本の技術を用いた真空吸引成形による高品質アルミナ多結晶ファイバーを採用し、優れた保温性能を実現。

 高真空密封: SUS304ステンレス製KFクイックリリースフランジを採用。

 高い堆積性能: RFグロー放電技術により、最大10Å/Sの高速デポジション(堆積)を実現。

 優れた均一性: 先進のマルチポイントRFフィードイン技術、特殊なガス流路設計、および加熱技術により、膜厚均一性8%以内を達成。

 高い再現性: 半導体業界の設計理念に基づき、バッチ内の基板間偏差を2%以下に抑制。

 安全機能: 過昇温保護(自動断電)、漏電保護機能を搭載。

 標準構成: 直結型真空ポンプ(到達真空度10Pa)、3系統のマスフローコントローラ(MFC)を標準装備。

 高周波(RF)電源: 最大出力500W、周波数13.56MHz±0.005%、単相AC208-240V入力。

オプション(別売)

● 高真空システム(ターボ分子ポンプユニット:最大到達真空度 7x10⁻⁴Pa)

● ガス混合システムおよび追加マスフローコントローラ(多系統ガスの精密制御用)

● 高解像度タッチパネル

技術パラメータ

製品名CVD化学気相成長システム
モデル名CVD/PECVD
スライド機構スライドレール付。炉体の移動により急速昇温・急速冷却が可能
加熱長400mm(1ゾーン / 2ゾーン対応可)
炉管寸法外径 60mm × 長さ 1200mm
炉管材質高純度石英管
常用温度≤ 1100℃
制御方式AI搭載PID計装による自動温度制御
制御精度±1℃(過昇温・断線アラーム機能付)
昇温速度推奨 0~10℃/min
加熱エレメント高品質抵抗線

真空システム

項目仕様内容
定格電圧単相 220V 50Hz
対応ガスN2、Arなどの不活性ガス、および各種プロセスガス
真空フランジガス導入ポート、圧力調整バルブ、自動リークバルブ、排気バルブ装備
ガス供給システム4系統の高精度マスフローコントローラ(MFC)、タッチパネル制御
真空排気系ロータリーポンプ(空炉・冷態時 到達真空度 1Pa)、高精度デジタル真空計
圧力制御相対圧力 -20kPa ~ 20kPa の範囲で制御可能

RF電源仕様(PECVDモデルのみ)

項目仕様内容
定格電圧単相 220V 50Hz
信号周波数13.56 MHz ± 0.005%
最大出力500W
最大反射電力500W
出力コネクタ50Ω N型(メス)
出力安定度±0.1%
高調波成分≤ -50 dBc
供給電圧単相 AC187V ~ 253V (50/60Hz)
冷却方式強制空冷

CVDシリーズ

型番炉管径 x 加熱長 (mm)炉管全長 (mm)出力 (kW)最高温度 (℃)ガス制御真空度 (Pa)
CVD-60Φ60×4001200312003路10Pa/7x10-3
CVD-80Φ80×4001200412003路10Pa/7x10-3
CVD-100Φ80×4001200612003路10Pa/7x10-3

PECVDシリーズ

型番 炉管径 x 加熱長 (mm) 出力 (kW) 最高温度 (℃) RF電源 ガス制御 真空度 (Pa)
周波数 出力
PECVD-60Φ60×4504120013.56MHz±0.005%300-500W3路10Pa/7x10-3
PECVD-80Φ80×450512003路10Pa/7x10-3
PECVD-100Φ100×450712003路10Pa/7x10-3

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